Полупроводниковые диоды

Для любого элемента электрической схемы нежелательным является его нагревание, обусловленное мощностью рассеяния прибора. Различают прямую мощность рассеяния диода PF (значение рассеиваемой диодом при прохождении прямого тока) и обратную мощность рассеяния PR (значение рассеиваемой диодом при прохождении обратного тока). По этому параметру определяют зону безопасной работы прибора, в любой точке которой должно выполняться соотношение IU = Р <Рmax. Способность диодов рассеивать мощность оценивают с помощью теплового сопротивления.

Анализируя электрические схемы НД, используют дифференциальные параметры. Такими параметрами электронных приборов являются величины, связывающие малые изменения тока с малыми изменениями независимых переменных. Ток в диоде фактически является функцией двух независимых переменных - э-ной напряжения U и температуры Т:

I = f (U; T).

Дифференциальное сопротивление диода г определяют отношением малого при-роста напряжения диода к малому приращению тока в нем в заданном режиме.

Рассмотрены параметры можно определить по ВАХ диода (рис. 3.1). По-уважит, что дифференциальные параметры характеризуют прибор только в заданной точке, а с изменением режима их значения существенно изменяются. В этой же точке определяют сопротивление диода постоянному току

R_ = UA / IA.

Максимально допустимое с схемотехнических соображений увеличение обратная тока диода определяется максимально допустимой температу-рой НД (80 ... 100 0С - для германиевых приборов и 150 ... 200 0С - для крем-ниевих приборов).

Минимальная допустимая температура диода определяется теоретически энергией ионизации акцепторных и донорных примесей и достигает минус 200 0С. Практически по соображениям климатической устойчивости ее устанавливают от ми-нус 60 до минус 70 0С.

Добавить комментарий: